2018年正牌先锋诗1:中国企业如何追赶3D NAND堆叠热

  改善数据储存单元结构及控制器 *** ,以增加单位存储容量,降低生产成本,是NAND闪存的另一个发展方向。

  

  紫光集团董事长、长江存储董事长赵伟国在装机仪式上表示,武汉长江存储基地将募资800亿元,金额已经全数到位,今年可进入小规模量产,明年进入128Gb的3D NAND 64层 *** 的研发。紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全则披露,长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单,总计10776颗芯片,将用于8GB USD存储卡产品,刘伯温4码中特百度特。

  NAND闪存3D堆叠未来上看140层?

  实际上,不仅是美光,为了降低NAND闪存的生产成本,提升产品竞争力,三星、东芝、西部数据等公司都在加速QLC 3D DAND的开发。2017年7月,东芝与西部数据就发布了采用BiCS4 *** 的QLC闪存,核心容量768Gb。根据东芝与西部数据的介绍,采用BiCS4 *** 的96层3D NAND已完成研发,初期用来制造3D TLC闪存,单颗芯片容量256Gb,而在良品率足够高之后,会转向更高容量的3D TLC,并最终制造3D QLC,容量可达1Tb。此外,三星也在发展QLC NAND芯片,将会在第五代NAND *** 上实现这一目标。


来源:中国电子报、电子信息 *** 网            责任编辑:马利亚

  对此,DRAM eXchange研究协理陈玠玮表示,英特尔、三星、美光、东芝、SK海力士等厂商的最新64/72层3D SSD都已给主要客户送样测试,而且也先后进入量产阶段。这是今年市场竞争会加剧的主因。

  中国存储需跟上国际 *** 演进节奏

  在NAND闪存跌价的行情下,拥有成本优势成为存储厂市场竞争的关键。有消息称,三星开始量产64层3D NAND,并利用新平泽工厂提高产量;美光推进64层3D NAND也非常顺利;东芝、西部数据从去年下半年开始量产64层3D NAND;SK海力士随着72层3D NAND产能及良率提升,预计今年其搭载72层3D NAND的企业级SSD出货比重将显著提升。

  3D化已经成为NAND闪存 *** 的主要发展方向,它指储存器单元不在一个平面内,而是一个堆叠在另一层之上。采用这种方式,每颗芯片的储存容量可以显著增加,而不必增加芯片面积或者缩小单元,使用3D NAND可以实现更大的结构和单元间隙。这有利于增加产品的耐用性,降低生产成本。3D堆叠已经成为NAND厂商间的主要竞争方向。

  目前,中国投入3D NAND的企业,以长江存储为主,目前项目进展的速度也很快。根据公布的资料,2016年12月底,由长江存储主导的国家存储器基地正式动土,预期分为三个阶段,将建设三座3D NAND厂。2017年9月,一期厂房提前封顶;11月,成功开发出32层3D NAND芯片;2018年4月11日,生产设备正式进场安装。

  这些情况说明了国际大厂正在加快推进3D NAND的 *** 演进,以便加高自身 *** 壁垒,拉开与竞争者的差距。存储器是我国重点发展的核心芯片之一,长江存储等国内企业亦有望于今年年底前实现小批量产。在3D NAND新产品 *** 进入市场之际,加快发展步伐,跟上国际 *** 的演进节奏非常重要。

中国企业如何追赶3D NAND堆叠热潮 作者:陈炳欣来源:中国电子报、电子信息 *** 网发布时间:2018-06-15 我要评论

  5月21日,美光 *** 率先推出业界首款采用QLC四比特单元存储 *** 的固态硬盘,并表示已经开始供货。根据美光发布的产品数据,其新推出的5210 ION固态硬盘,采用了64层3D QLC NAND与QLC架构,相较于TLC架构容量更大,使得单颗芯片容量可高达1Tb。

  中科院微电子所所长叶甜春表示:“主流存储器产品带有标准化的大宗产品特征,因此这个市场的竞争也就显得更加激烈。一家企业的成功与否往往取决于 *** 进步的速度与资本投入量。企业如果不能跟上 *** 更新换代的速度,很快就会被淘汰。”叶甜春还强调了产品特有结构、企业特有工艺 *** 发展的重要性,以应对国际上的 *** 竞争。“一家存储器厂生产线不会全部都用通用装备。在度过了发展初期阶段后,企业必然会发展出一些特有的工艺 *** ,同时需要对工艺设备进行定制化改造。我觉得3~5年后,中国存储企业就应走到这一步,否则很难形成自己的客户群。而要完成工艺设备的定制,国内装备企业的发展又显得十分重要。”叶甜春指出。

  除了扩大64/72层3D NAND生产比重,存储厂也在推进下一代 *** 的开发与量产。有消息称,三星将抢先在2018年年底前量产96层3D NAND,并投入128层3D NAND研发。但也有相关人士表示,由于96层3D NAND *** 难度相对较大,三星或以92层作为过渡 *** 。东芝与西部数据此前曾经宣布96层3D NAND已完成研发,并屡次扩大Fab6工厂的投资金额,为96层3D NAND的量产做准备。英特尔和美光曾表示,第三代3D NAND *** (96层)的开发将于2018年年底或2019年年初交付,预计英特尔和美光96层3D NAND可在2019年下半年实现量产。

  目前,存储单元的结构类型分为以下几种:SLC、MLC、TLC、QLC。QLC四比特单元(每个Cell单元储存4个数据),成本更低,容量更大,但寿命更短(理论上可擦写150次),将使企业降低生产成本,获得高竞争力。IDC研究副总裁Jeff Janukowicz表示,QLC企业级SATA固态硬盘提供了一种经济实惠的方式,将企业应用程序迁移到闪存,而且有机会扩大企业级闪存的潜在市场。

  3D NAND的堆叠大战正在如火如荼地进行。如果说几家国际闪存大厂,如三星、美光、东芝、西数、SK海力士当前推向市场的主流产品是64层(或72层)3D NAND,那么明年就将跨入96层。在近日举行的国际存储研讨会2018(IMW 2018)上,应用材料公司预测,到2020年3D存储堆叠可以做到120层甚至更高,2021年可以达到140层以上。除了3D堆叠之外,存储厂商也在力图通过改善数据储存单元结构与控制器 *** 以增加单位存储容量,美光便于日前率先推出QLC 3D NAND,将单位存储容量提升了33%。

  无论是3D堆叠还是QLC的推出,这些情况均说明了随着3D NAND *** 走向实用化,国际厂商正在加快推进 *** 进步。3D NAND相对2D NAND来说,是一次闪存 *** 上的变革。而且不同于基于微缩 *** 的平面闪存,3D存储器的关键 *** 是薄膜和刻蚀工艺, *** 工艺差别较大,而且相对2D NAND来说,国际大厂在3D存储器布局方面走得并不远。从现在的情况来看,很显然,国际厂商们也认识到了这个问题,正在纷纷加大 *** 研发的力度,以期争夺新时期的高点;同时增加产能与量产上的投入,力求与对手拉开距离。

  QLC固态硬盘加速进入市场

  随着2017年几大国际存储厂商争相推进64层3D NAND量产,今年以来相关产品已经开始大量进入主流市场。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)的数据,今年第一季度NAND闪存品牌厂营收季减3%;第二季度PC用固态硬盘(SSD)合约价均价下跌3%~11%。而连续两个季度价格下跌的主要原因,一方面是因为市场仍处于小幅供过于求的状态,另一方面则是因为大多数SSD供货商为促销最新一代的64/72层3D SSD新品,降价意愿提升。

时间

2018-06-20 18:54


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作者

admin


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